Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 11.20€ | 13.78€ |
2 - 2 | 10.64€ | 13.09€ |
3 - 4 | 10.08€ | 12.40€ |
5 - 9 | 9.52€ | 11.71€ |
10 - 14 | 9.30€ | 11.44€ |
15 - 19 | 9.08€ | 11.17€ |
20 - 132 | 8.74€ | 10.75€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 11.20€ | 13.78€ |
2 - 2 | 10.64€ | 13.09€ |
3 - 4 | 10.08€ | 12.40€ |
5 - 9 | 9.52€ | 11.71€ |
10 - 14 | 9.30€ | 11.44€ |
15 - 19 | 9.08€ | 11.17€ |
20 - 132 | 8.74€ | 10.75€ |
IKW25T120. C (pol.): 1860pF. Custo): 96pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente do coletor: 50A. Ic(pulso): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marcação na caixa: K25T120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 560 ns. Td(ligado): 50 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.
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