IKW50N60T

IKW50N60T. C (pol.): 3140pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 143 ns. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Marcação na caixa: K50T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 299 ns. Td(ligado): 26 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.