IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1. C (pol.): 8000pF. Custo): 1700pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(im): 400A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 034N06N. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.