IHW20N135R5

IHW20N135R5. C (pol.): 1360pF. Custo): 43pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: H20PR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 235 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.