Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
0
Categorias de Produtos :
Armários para eletrónicos
>
1201
Áudio
>
306
Automação
>
19
Cabos
>
1768
Componentes passivos
>
14438
Computer
>
56
Conectores
>
5628
Eletrónica de lazer
>
540
Energia
>
1333
Ferramentas
>
1371
Interruptores
>
929
Optoelectrônica
>
1956
Peças mecânicas
>
439
Proteção elétrica
>
1127
Relés
>
850
Reparando
>
956
Resfriamento
>
751
Semicondutores
>
14457
Transformadores
>
554
Semicondutores Transistores

HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
[TITLE]
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 1 5.27€ 6.48€
2 - 2 5.00€ 6.15€
3 - 4 4.74€ 5.83€
5 - 9 4.48€ 5.51€
10 - 19 4.37€ 5.38€
20 - 29 4.27€ 5.25€
30 - 90 4.11€ 5.06€
Quantidade U.P
1 - 1 5.27€ 6.48€
2 - 2 5.00€ 6.15€
3 - 4 4.74€ 5.83€
5 - 9 4.48€ 5.51€
10 - 19 4.37€ 5.38€
20 - 29 4.27€ 5.25€
30 - 90 4.11€ 5.06€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 90
Conjunto de 1

HGTG5N120BND. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Marcação na caixa: 5N120BND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 182 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

Documentação técnica

Produtos equivalentes :

Quantidade em estoque : 47
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Ic(T...
HGTG10N120BND
Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marcação na caixa: 10N120BND. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
HGTG10N120BND
Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marcação na caixa: 10N120BND. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
Conjunto de 1
6.96€ IVA incl.
(5.66€ sem IVA)
6.96€

Também recomendamos :

Quantidade em estoque : 106
IRFP460

IRFP460

C (pol.): 4200pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 n...
IRFP460
[LONGDESCRIPTION]
IRFP460
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.49€ IVA incl.
(6.09€ sem IVA)
7.49€
Quantidade em estoque : 170
IRFP064N

IRFP064N

C (pol.): 4000pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de c...
IRFP064N
[LONGDESCRIPTION]
IRFP064N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
5.02€ IVA incl.
(4.08€ sem IVA)
5.02€
Quantidade em estoque : 1353
1N5349B

1N5349B

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia,...
1N5349B
[LONGDESCRIPTION]
1N5349B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.71€ IVA incl.
(0.58€ sem IVA)
0.71€
Quantidade em estoque : 3567
BT137-800

BT137-800

RoHS: sim. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Data de produção: 1449. Igt (m...
BT137-800
[LONGDESCRIPTION]
BT137-800
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.21€ IVA incl.
(0.98€ sem IVA)
1.21€
Quantidade em estoque : 291
MOF1145JAFSR620

MOF1145JAFSR620

Resistência: 0.62 Ohms. Potência: 2W. Tolerância: 5%. Dimensões: 5x15.5mm. Tensão máxima de op...
MOF1145JAFSR620
[LONGDESCRIPTION]
MOF1145JAFSR620
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.15€ IVA incl.
(0.12€ sem IVA)
0.15€
Quantidade em estoque : 11
J176

J176

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 25mA. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (diss...
J176
[LONGDESCRIPTION]
J176
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.69€ IVA incl.
(0.56€ sem IVA)
0.69€
Quantidade em estoque : 921
ATMEGA328P-PU

ATMEGA328P-PU

RoHS: sim. Frequência máxima de clock da CPU: 1.8 MHz/4 MHz/10 MHz. Número de E/S: 23. Memória d...
ATMEGA328P-PU
[LONGDESCRIPTION]
ATMEGA328P-PU
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.60€ IVA incl.
(6.18€ sem IVA)
7.60€
Quantidade em estoque : 39
GT30J322

GT30J322

Tipo de canal: N. Função: Comutação do inversor de ressonância de corrente . Corrente do colet...
GT30J322
[LONGDESCRIPTION]
GT30J322
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
9.84€ IVA incl.
(8.00€ sem IVA)
9.84€

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :
Por email
Termos de Vendas

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.