Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

HUF75645P3

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Conjunto de 1

HUF75645P3. C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UltraFET Power MOSFET. Id(im): 430A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75645 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.

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