HUF75307D3S

HUF75307D3S. C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.