IRF1404S

IRF1404S. C (pol.): 4340pF. Custo): 1030pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 750A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. On-resistência Rds On: 2.7M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.