IRF1310N

IRF1310N. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.