IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06. C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Logic Level, Enhancement mode. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: PN03L06. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.