IRF5210SPBF

IRF5210SPBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5210S. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.