IRF450

IRF450. C (pol.): 2700pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Repetitive Avalanche Ratings. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.75A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204A ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.