Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRF610B

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IRF610B. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: VGS @10V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 1.16 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 15:25.

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