FQP19N20C

FQP19N20C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 76A. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 19A. Pd (dissipação de energia, máx.): 139W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.