IRF9610

IRF9610. C (pol.): 170pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 7A. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.