IRFP260N

IRFP260N. C (pol.): 4057pF. Custo): 603pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 268 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Peso: 5.57g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.