Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF630B

IRF630B
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IRF630B. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 72W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: N-Channel MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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