IRF610PBF

IRF610PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF610PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 11 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Carcaça (padrão JEDEC): 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 15:25.