Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF634B. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.348 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 15:25.

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