Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MUR1100E

MUR1100E
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MUR1100E. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalentes: MUR1100ERLG. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: IFSM. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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