IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F640NS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 15:25.