Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF640

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IRF640. C (pol.): 1300pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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