Transistor de canal N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1160pF. Cobrar: 44.7nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 18A. Custo): 185pF. Diodo Trr (mín.): 167 ns. Função: -. IDss (min): 25uA. Id(im): 72A. Marcação do fabricante: IRF640NPBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Polaridade: unipolar. Potência: 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08