Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRF640N. C (pol.): 1160pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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