Transistores

C (pol.): 1210pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Impedância de porta ultrabaixa. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 95. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1700pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7416. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.04V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 59 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7424. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.04V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4030pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 7980pF. Custo): 1480pF. Tipo de canal: P. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.082 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 13 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.45V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3480pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7455. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7468. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 66A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 30uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 66A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 6.3 ns. Tecnologia: MOSFET de potência . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 31us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 88A. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7811. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1801pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7821. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1010pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7831. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 17 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6240pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4310pF. Custo): 990pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 41us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.32V. Vgs(th) mín.: 1.39V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 99 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Custo): 92pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. C (pol.): 360pF. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF820PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 620 ns. Custo): 93 ns. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF830PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 610pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Carcaça (padrão JEDEC): 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840APBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C