Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.36€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.29€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.36€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.29€ |
IRF7832PBF. C (pol.): 4310pF. Custo): 990pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 41us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.32V. Vgs(th) mín.: 1.39V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.
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