IRF7807V

IRF7807V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 66A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 6.3 ns. Tecnologia: MOSFET de potência . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.