IRF830PBF

IRF830PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF830PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 610pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Carcaça (padrão JEDEC): 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.