IRF830APBF
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.38€ | 1.70€ |
| 5 - 9 | 1.31€ | 1.61€ |
| 10 - 24 | 1.24€ | 1.53€ |
| 25 - 49 | 1.17€ | 1.44€ |
| 50 - 72 | 1.15€ | 1.41€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 4 | 1.38€ | 1.70€ |
| 5 - 9 | 1.31€ | 1.61€ |
| 10 - 24 | 1.24€ | 1.53€ |
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IRF830APBF. C (pol.): 620 ns. Custo): 93 ns. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.
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C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo...
C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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