IRF7413Z

IRF7413Z. C (pol.): 1210pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Impedância de porta ultrabaixa. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 95. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.