Transistor de canal N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807Z

Transistor de canal N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807Z. Transistor de canal N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 31us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 88A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 06:25.