IRF7416

IRF7416. C (pol.): 1700pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.