IRF7413

IRF7413. C (pol.): 1600pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 58A. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 12uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 08:25.