IRF8788PBF

IRF8788PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8788. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5720pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 01:25.