IRF840AS

IRF840AS. C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 01:25.