IRF8707G

IRF8707G. C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 88A. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: IRF8707G. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 01:25.