IRFB23N15D

IRFB23N15D. C (pol.): 1200pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 92A. DI (T=100°C): 17A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: B23N15D. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.