IRFB11N50A

IRFB11N50A. C (pol.): 1423pF. Custo): 208pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, baixa carga de porta 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.