IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.