IRFB20N50K

IRFB20N50K. C (pol.): 2870pF. Custo): 3480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.