IRF9952PBF

IRF9952PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9952. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.