Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRFB3077PBF

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IRFB3077PBF. C (pol.): 9400pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 850A. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. On-resistência Rds On: 0.0028 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 69 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.

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