IRFB260N

IRFB260N. C (pol.): 4220pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 220A. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB260N. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.