IRF9Z34NS

IRF9Z34NS. C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 06:25.