Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRFB7444PBF

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IRFB7444PBF. C (pol.): 4730pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 770A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 172A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 143W. On-resistência Rds On: 2M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 115 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. Função: Aplicações de acionamento de motor BLDC, circuitos alimentados por bateria, conversores DC/DC e AC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.

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