Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRFB4710

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IRFB4710. C (pol.): 6160pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 300A. DI (T=100°C): 53A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FB4710. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 4300pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P80NF12. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 120V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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