Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IXTP36N30P

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IXTP36N30P. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 92m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MO...
IXTQ36N30P
C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 92m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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