IRFB5615PBF

IRFB5615PBF. C (pol.): 1750pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para aplicações de amplificador de áudio classe D. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB5615PbF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 144W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 17.2ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.