IRFB42N20DPBF

IRFB42N20DPBF. C (pol.): 4820pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Id(im): 390A. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 97A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB4410ZPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.