IRFB52N15D

IRFB52N15D. C (pol.): 2770pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 230A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB52N15D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: Conversores DC-DC de alta frequência, display de plasma. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.